到2025年GaN和SiC功率半导体市场规模价值30亿美元林海峰

到2025年，GaN和SiC功率半导体市场规模价值30亿美元

GaN和SiC功率半导体市场 规模到2025年将超过30亿美元; 根据Global Market Insights，Inc。的最新研究报告

功率半导体器件正在见证不同功率应用的高度采用，推动了GaN和SiC功率半导体市场的发展。随着传统的硅基器件接近其材料极限，碳化硅和氮化镓变得越来越流行并且由于其比硅更高的介电场强度而被各种工业垂直采用此外，更宽的带隙和热能使其能够承受更高的温度和电压，使其成为硅的理想替代品。随着这些设备在光伏逆变器，混合动力和电动汽车，UPS和其他电力应用等领域的应用，市场已经显着出现。

各种电力行业都受到能量损失的影响，特别是在电力转换期间。效率是行业确保更好绩效的关键因素。达到所需效率的限制通常会导致高成本。因此，半导体行业正致力于采用具有更多功率特性的材料，为GaN和SiC功率半导体市场提供显着的增长机会。这些更宽的带隙器件使得可以制造具有高功率密度的小型封装和紧凑的电子器件。功率半导体行业的目标是开发重量更轻，成本更低的器件，为市场创造机会。

氮化镓功率器件具有很高的增长潜力，可用于多种功率半导体应用。该材料可用于增强电子性能和功率容量。由于其高功率密度，系统小型化和高效率等特性，GaN与传统的晶体管硅相比具有多种优势。虽然硅在功率半导体行业已经主要使用多年，但公司越来越关注提高高功率系统的GaN器件可靠性。预计GaN的指数增长将推动GaN和SiC功率半导体市场的增长。

半导体行业的发展是影响市场的关键因素之一。根据半导体行业协会的数据，考虑到2018年全球半导体行业的市场份额超过2000亿美元，美国占据主导地位，几乎占全球销售额的一半。此外，美国半导体行业将其收入的五分之一用于研发活动，使其成为市场的重要区域。

预计GaN和SiC功率半导体市场将在可再生能源应用中获得关注。光伏逆变器在将太阳光转化为电能方面发挥着至关重要的作用，预计将采用这些设备进行更高效的电力转换。SiC嵌入式PV逆变器产生更低的开关损耗并提高系统效率。将SiC器件用于PV逆变器应用可以提高功率密度，从而最大限度地减少散热，并且还可以减小无源元件的尺寸。用于太阳能的光伏逆变器应用将推动印度和中国等国家的GaN和SiC功率半导体市场。一些政府为增加可再生能源的使用所做的努力为电力设备开辟了新的市场机遇。像印度这样的国家正在积极关注提高太阳能生产能力。据印度新能源和可再生能源部称，该国的目标是在2022年拥有175吉瓦的太阳能。此外，该国在2016 - 17年度基于风力发电量增加了5.5GW的能源。预计这将为市场提供高潜力。

IGBT模块应用的兴起已成为市场的主要推动力。它们被广泛用于铁路牵引和推进等应用中。地铁，电动和柴油电力机车，有轨电车和高速列车越来越多地采用IGBT模块。SiC提供更高效率和更低损耗的能力使其能够在模块中使用。ABB等自动化公司为铁路应用提供IGBT模块。

相对较高的器件成本在一定程度上可能成为GaN和SiC功率半导体市场的制约因素。用于构建功率器件的常规硅材料已经在半导体工业中使用了许多年，并且市场对于立即切换到诸如GaN的材料并不成熟。预计这些材料及其功能的好处将推动市场的增长。

三菱电机，英飞凌科技股份公司，ROHM半导体公司和恩智浦半导体公司是该市场的主要参与者。许多公司正倾向于构建更紧凑和高效的功率半导体器件。该行业正在见证技术的迅速发展，公司专注于研发活动。例如，英飞凌在2018年将其收入的11％用于研发活动。该公司还在扩大其功率半导体的生产能力。2018年5月，该公司开始大规模生产其碳化硅MOSFET。

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